Equivalente paramétrico
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SUP85N10-10-E3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SUP85N10-10-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SUP85N10-10-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 47 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SUP85N10-10-E3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6550 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm a 30A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SUP85N10-10-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SUP85N10-10-GE3-ND | $6.74000 | Equivalente paramétrico |
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37482-5-ND | $1.18000 | Similar |
| IPP083N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP083N10N5AKSA1-ND | $2.55000 | Similar |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 0 | IRFB4410PBF-ND | $2.71000 | Similar |
| FDP120N10 | onsemi | 0 | FDP120N10-ND | $3.17000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.62000 | $6.62 |
| 50 | $3.22840 | $161.42 |
| 100 | $3.21300 | $321.30 |
| 500 | $2.98056 | $1,490.28 |
| 1,000 | $2.97500 | $2,975.00 |




