Similar
Similar
Similar
Similar



SUP85N10-10-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SUP85N10-10-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SUP85N10-10-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 47 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm a 30A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6550 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP130N10T | IXYS | 0 | IXFP130N10T-ND | $2.61420 | Similar |
| TK40E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK40E10N1S1X-ND | $3.01000 | Similar |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 0 | IRFB4410PBF-ND | $2.71000 | Similar |
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | $3.22000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.74000 | $6.74 |
| 50 | $3.19760 | $159.88 |
| 100 | $3.18240 | $318.24 |
| 500 | $2.98056 | $1,490.28 |
| 1,000 | $2.97500 | $2,975.00 |





