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FDP020N06B-F102 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | FDP020N06B-F102-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP020N06B-F102 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 60 V 120A (Tc) 333W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 268 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20930 pF @ 30 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 333W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 100A, 10V |
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Sustitutos (11)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK100E06N1S1X-ND | $3.37000 | Similar |
| CSD18535KCS | Texas Instruments | 0 | 296-47696-ND | $0.00000 | Similar |
| IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP020N06NAKSA1-ND | $3.55000 | Similar |
| IRFB3006PBF | Infineon Technologies | 0 | IRFB3006PBF-ND | $2.50000 | Similar |
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFB3306PBF-ND | $2.23000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.13000 | $5.13 |
| 50 | $2.72880 | $136.44 |
| 100 | $2.55740 | $255.74 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
