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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SUP50020E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SUP50020E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 52 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm a 30A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 128 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK100E06N1S1X-ND | $3.37000 | Similar |
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 2,000 | 2832-FDP023N08B-F102-ND | $4.48000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $1.48600 | $743.00 |



