
SQJB90EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SQJB90EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJB90EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJB90EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJB90EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 35 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 80V 30A (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJB90EP-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF a 25V |
Serie | Potencia - Máx. 48W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 21.5mOhm a 10A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.52000 | $1.52 |
| 10 | $1.16300 | $11.63 |
| 100 | $0.84010 | $84.01 |
| 500 | $0.66648 | $333.24 |
| 1,000 | $0.61064 | $610.64 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.53975 | $1,619.25 |
| 6,000 | $0.50825 | $3,049.50 |











