Equivalente paramétrico

SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJB80EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 35 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 80V 30A (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJB80EP-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF a 25V |
Serie | Potencia - Máx. 48W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19mOhm a 8A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJB80EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SQJB80EP-T1_BE3TR-ND | $1.73000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.53000 | $1.53 |
| 10 | $1.11200 | $11.12 |
| 100 | $0.79230 | $79.23 |
| 500 | $0.62702 | $313.51 |
| 1,000 | $0.57387 | $573.87 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.50639 | $1,519.17 |
| 6,000 | $0.47244 | $2,834.64 |
| 9,000 | $0.47188 | $4,246.92 |












