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SIR820DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIR820DP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIR820DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 47 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 40A (Tc) 37.8W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3512 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 37.8W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3mOhm a 15A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E150GNTB | Rohm Semiconductor | 0 | RS1E150GNTBTR-ND | $0.95000 | Similar |
| RS1E220ATTB1 | Rohm Semiconductor | 0 | RS1E220ATTB1TR-ND | $3.28000 | Similar |
| RS1E240BNTB | Rohm Semiconductor | 0 | RS1E240BNTBTR-ND | $0.73000 | Similar |
| RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | 0 | RS3E095BNGZETBTR-ND | $1.21000 | Similar |
| RXH070N03TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | RXH070N03TB1TR-ND | $0.93000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.56866 | $1,705.98 |
| 6,000 | $0.54000 | $3,240.00 |



