Equivalente paramétrico
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SIHF7N60E-E3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHF7N60E-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHF7N60E-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 7A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) TO-220 paquete completo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 31W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3.5A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHF7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF7N60E-GE3-ND | $0.95462 | Equivalente paramétrico |
| TK12A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12A60D(STA4QM)-ND | $3.52000 | Similar |
| SPA07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPA07N60C3XKSA1-ND | $0.00000 | Similar |
| FCPF7N60NT | onsemi | 2,630 | 2832-FCPF7N60NT-ND | $0.63000 | Similar |
| FCPF7N60YDTU | onsemi | 1,600 | 2832-FCPF7N60YDTU-ND | $0.88000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.75000 | $1.75 |
| 10 | $1.63200 | $16.32 |
| 100 | $1.07100 | $107.10 |
| 500 | $1.02776 | $513.88 |
| 1,000 | $0.98103 | $981.03 |
| 2,000 | $0.96750 | $1,935.00 |









