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SIHF12N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHF12N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHF12N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 12A (Tc) 33W (Tc) TO-220 paquete completo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 33W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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Clasificaciones medioambientales y de exportación
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Sustitutos (1)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | $4.09000 | Similar |
En stock: 0
50 productos estimados en stock al 1/3/2027
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.46000 | $2.46 |
| 50 | $1.97480 | $98.74 |
| 100 | $1.62480 | $162.48 |
| 500 | $1.37486 | $687.43 |
| 1,000 | $1.16655 | $1,166.55 |
| 2,000 | $1.10822 | $2,216.44 |
| 5,000 | $1.06656 | $5,332.80 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
