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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB33N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 16.5A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 22 | IPB60R099CPATMA1TR-ND | $8.16000 | Similar |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND | $5.65000 | Similar |
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 1,000 | 497-14963-2-ND | $5.89000 | Similar |
| STB34NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-12236-2-ND | $10.02000 | Similar |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | 0 | 497-12237-2-ND | $10.92000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.81000 | $5.81 |
| 10 | $4.60000 | $46.00 |
| 100 | $3.34150 | $334.15 |
| 500 | $2.80522 | $1,402.61 |
| 1,000 | $2.77500 | $2,775.00 |




