Equivalente paramétrico

IRFBG30PBF-BE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 742-IRFBG30PBF-BE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IRFBG30PBF-BE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 980 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5Ohm a 1.9A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFBG30PBF-ND | $3.28000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.57000 | $2.57 |
| 50 | $1.42280 | $71.14 |
| 100 | $1.40760 | $140.76 |
| 500 | $1.26368 | $631.84 |
| 1,000 | $1.17500 | $1,175.00 |



