Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

VS-10ETF12S-M3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | VS-10ETF12S-M3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF12S-M3 |
Descripción | DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB |
Plazo estándar del fabricante | 13 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 10A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante | Tiempo de recuperación inversa (trr) 310 ns |
Embalaje Tubo | Corriente - Fuga inversa a Vr 100 µA @ 1200 V |
Estado de pieza Activo | Tipo de montaje |
Tecnología | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB (D2PAK) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -40°C ~ 150°C |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.33 V @ 10 A | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-10ETF12SLHM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10 | VS-10ETF12SLHM3GITR-ND | $2.38000 | Equivalente paramétrico |
| VS-10ETF12STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-VS-10ETF12STRL-M3TR-ND | $2.28000 | Equivalente paramétrico |
| VS-10ETF12STRR-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-10ETF12STRR-M3-ND | $1.13125 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 8,000 | $1.09313 | $8,745.04 |


