Equivalente paramétrico
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US1DHM3_A/H | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 112-US1DHM3_A/HTR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | US1DHM3_A/H |
Descripción | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 5 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 200 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 50 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 10 µA @ 200 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia según Vr, F 15pF a 4V, 1MHz |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Tipo de montaje |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1 V @ 1 A | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| US1D-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 311 | US1D-E3/5ATGITR-ND | $0.28000 | Equivalente paramétrico |
| US1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1D-E3/61TGITR-ND | $0.37000 | Equivalente paramétrico |
| US1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1D-M3/61T-ND | $0.12514 | Equivalente paramétrico |
| US1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1DHE3_A/HGITR-ND | $0.41000 | Equivalente paramétrico |
| US1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1DHE3_A/I-ND | $0.13262 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 14,400 | $0.13427 | $1,933.49 |








