Equivalente paramétrico
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Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

ES1DHM3_A/I | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 112-ES1DHM3_A/ITR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | ES1DHM3_A/I |
Descripción | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 5 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 200 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Corriente - Fuga inversa a Vr 5 µA @ 200 V |
Fabricante | Capacitancia según Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Grado Uso automotriz |
Estado de pieza Activo | Calificación AEC-Q101 |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 920 mV @ 1 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | Número de producto base |
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25 ns |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1D-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 854 | ES1D-E3/5ATGITR-ND | $0.36000 | Equivalente paramétrico |
| ES1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1D-E3/61TGITR-ND | $0.31000 | Equivalente paramétrico |
| ES1D-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1D-M3/5AT-ND | $0.10138 | Equivalente paramétrico |
| ES1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1D-M3/61TGITR-ND | $0.38000 | Equivalente paramétrico |
| ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1DHE3_A/HGITR-ND | $0.38000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 15,000 | $0.12272 | $1,840.80 |




