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Equivalente paramétrico


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Diodos 600 V 1A Orificio pasante SOD-57
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

BYV26C-TAP

Número de pieza de DigiKey
BYV26C-TAPCT-ND - Cinta cortada (CT)
BYV26C-TAPTB-ND - Cinta y caja
Fabricante
Número de pieza del fabricante
BYV26C-TAP
Descripción
DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
Plazo estándar del fabricante
6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 600 V 1A Orificio pasante SOD-57
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
BYV26C-TAP Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Velocidad
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Fabricante
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30 ns
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 µA @ 600 V
Estado de pieza
Activo
Tipo de montaje
Tecnología
Paquete / Caja (carcasa)
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
Paquete del dispositivo del proveedor
SOD-57
Corriente - Promedio rectificado (Io)
1A
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
-55°C ~ 175°C
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
2.5 V @ 1 A
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (13)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleNúmero de pieza de DigiKeyPrecio por unidad Tipo de reemplazo
BYV26C-TRVishay General Semiconductor - Diodes Division0112-BYV26C-TR-ND$0.47000Equivalente paramétrico
1N3613Microchip Technology01N3613-ND$4.41000Similar
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En stock: 0
5.000 productos estimados en stock al 30/11/2026
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Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$0.45000$0.45
10$0.38800$3.88
100$0.26840$26.84
500$0.22424$112.12
1,000$0.21000$210.00
Cinta y caja
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
5,000$0.21978$1,098.90
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.