Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.38 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)

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TPN4R806PL,L1Q
Número de pieza de DigiKey	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN4R806PL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN4R806PL,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 300µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2770 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 72A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base TPN4R806
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 36A, 10V