Name: TPH1R405PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R405PLL1QTR-ND
Price: 2.13 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 45 V 120A (Tc) 960mW (Ta), 132W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TPH1R405PL,L1Q
Número de pieza de DigiKey	264-TPH1R405PLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH1R405PLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH1R405PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH1R405PL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 45 V 120A (Tc) 960mW (Ta), 132W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6300 pF @ 22.5 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 132W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 45 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base TPH1R405
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.4mOhm a 50A, 10V