SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage | FET simple, MOSFET

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SSM3J35CT,L3F
Número de pieza de DigiKey	SSM3J35CTL3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3J35CTL3FCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3J35CTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J35CT,L3F
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) CST3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J35CT,L3F Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 8Ohm a 50mA, 4V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Serie π-MOSVI	Vgs (máx.) ±10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12.2 pF @ 3 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 100mW (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor CST3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100mA (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4V	Número de producto base SSM3J35