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STW77N65M5 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 497-10589-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STW77N65M5 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 69A (Tc) 400W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STW77N65M5 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) 25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9800 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 400W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 38mOhm a 34.5A, 10V |
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Sustitutos (11)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH80N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH80N65X2-ND | $14.81000 | Similar |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 0 | 238-IXKH70N60C5-ND | $21.14000 | Similar |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 0 | IXTH80N65X2-ND | $9.81000 | Similar |
| TK62N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK62N60XS1F-ND | $13.14000 | Similar |
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R041P6FKSA1-ND | $11.83000 | Similar |
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $15.49000 | $15.49 |
| 30 | $9.20033 | $276.01 |
| 120 | $8.66492 | $1,039.79 |
| 510 | $8.65725 | $4,415.20 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
