Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

STW65N65DM2AG | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 497-16127-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STW65N65DM2AG |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 60A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STW65N65DM2AG Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±25V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500 pF @ 100 V |
Embalaje Tubo | Disipación de potencia (Máx.) 446W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 30A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH60N65X2-ND | $8.84533 | Similar |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 0 | IXTH48N65X2-ND | $10.13000 | Similar |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 0 | IXTH62N65X2-ND | $8.17000 | Similar |
| TK39N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK39N60WS1VF-ND | $6.11000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $14.67000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $10.58000 | $10.58 |
| 30 | $5.84967 | $175.49 |
| 120 | $5.34533 | $641.44 |
| 510 | $5.08506 | $2,593.38 |





