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SCTW40N120G2VAG | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 497-SCTW40N120G2VAG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SCTW40N120G2VAG |
Descripción | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) HiP247™ |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 18 V |
Fabricante | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1230 pF @ 800 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 290W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tecnología | Grado Uso automotriz |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Calificación AEC-Q101 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™ |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 105mOhm a 20A, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 1mA | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWS120H100SM4 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWS120H100SM4-ND | $20.22000 | Similar |
| DMWSH120H90SM3 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H90SM3-ND | $10.90000 | Similar |
| DMWSH120H90SM3Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H90SM3Q-ND | $13.38000 | Similar |
| DMWSH120H90SM4Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H90SM4Q-ND | $13.38000 | Similar |
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | 0 | MSC080SMA120B-ND | $12.80000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $17.20000 | $17.20 |
| 30 | $10.66800 | $320.04 |
| 120 | $9.31500 | $1,117.80 |





