
GCMS008C120S1-E1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 1560-GCMS008C120S1-E1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMS008C120S1-E1 |
Descripción | GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje de chasis 1200 V 189H (Tc) 536W (Tc) SOT-227 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 100A, 18V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 40mA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 506 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +22V, -8V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14085 pF @ 1000 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 536W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Tubo: | 12 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $42.09000 | $42.09 |
| 10 | $31.49900 | $314.99 |
| 100 | $28.82500 | $2,882.50 |


