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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
NRVUS120VT3G-GA01 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 488-NRVUS120VT3G-GA01TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NRVUS120VT3G-GA01 |
Descripción | DIODE STANDARD 200V 2A SMB |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 200 V 2A Montaje en superficie SMB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 35 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 2 µA @ 200 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Grado Uso automotriz |
Estado de pieza Activo | Calificación AEC-Q101 |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 2A | Paquete del dispositivo del proveedor SMB |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 875 mV @ 1 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -65°C ~ 175°C |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Documentos y medios
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| NRVUS120VT3G | onsemi | 10,000 | NRVUS120VT3GOSTR-ND | $0.48000 | Equivalente paramétrico |
| MURS120-E3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | MURS120-E3/5BTGITR-ND | $0.35000 | Equivalente paramétrico |
| MURS120/2 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | MURS120/2GI-ND | $0.00000 | Equivalente paramétrico |
| MURS120HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-MURS120HE3_A/HTR-ND | $0.58000 | Equivalente paramétrico |
| MURS120HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | MURS120HE3_A/I-ND | $0.17088 | Equivalente paramétrico |
No disponible
