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HUF75852G3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | HUF75852G3FS-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HUF75852G3 |
Descripción | MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 150 V 75A (Tc) 500W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 480 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7690 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 500W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 75A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RBE039N15R1SZQ4#GB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE039N15R1SZQ4#GB0TR-ND | $2.33000 | Similar |
| IXFH102N15T | IXYS | 0 | IXFH102N15T-ND | $4.44113 | Similar |
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Disponible para órdenes
Stock de fábrica: 450
450 productos estimados en stock al 15/2/2027
Este stock se encuentra en las instalaciones del proveedor y puede estar disponible en DigiKey a partir de la recepción del pedido.
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $13.06000 | $13.06 |
| 10 | $9.82300 | $98.23 |
| 450 | $8.81509 | $3,966.79 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
