Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

HUF75645P3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | HUF75645P3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HUF75645P3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 238 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3790 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 310W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14mOhm a 75A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK1001DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND | $7.03000 | Similar |
| IXTP75N10P | IXYS | 0 | IXTP75N10P-ND | $4.62000 | Similar |
| TK35E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TK35E08N1,S1X-ND | $1.59000 | Similar |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 0 | 296-38676-5-ND | $1.53000 | Similar |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | $2.75000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.68000 | $3.68 |
| 50 | $1.86660 | $93.33 |
| 100 | $1.69060 | $169.06 |
| 500 | $1.38230 | $691.15 |
| 1,000 | $1.28326 | $1,283.26 |
| 2,000 | $1.26188 | $2,523.76 |






