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HUF75339P3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | HUF75339P3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HUF75339P3 |
Descripción | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | HUF75339P3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 200W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 75A, 10V |
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Sustitutos (6)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| N0604N-S19-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | N0604N-S19-AY-ND | $2.97000 | Similar |
| TK30E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK30E06N1S1X-ND | $1.45000 | Similar |
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | 0 | IRF1018EPBF-ND | $1.55000 | Similar |
| IRF2805PBF | Infineon Technologies | 0 | IRF2805PBF-ND | $1.79000 | Similar |
| IRF3205PBF | Infineon Technologies | 0 | IRF3205PBF-ND | $2.10000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.67000 | $2.67 |
| 50 | $1.31560 | $65.78 |
| 100 | $1.18430 | $118.43 |
| 500 | $0.95416 | $477.08 |
| 1,000 | $0.88018 | $880.18 |
| 2,000 | $0.81800 | $1,636.00 |
| 5,000 | $0.81262 | $4,063.10 |
