FQU13N06LTU onsemi | FET simple, MOSFET

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FQD13N06LTM

onsemi

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Canal N Orificio pasante 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) IPAK

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FQU13N06LTU
Número de pieza de DigiKey	FQU13N06LTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQU13N06LTU
Descripción	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) IPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQU13N06LTU Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.4 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor IPAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Número de producto base FQU13N06
Rds On (máx) @ Id, Vgs 115mOhm a 5.5A, 10V

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Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FQD13N06LTM	onsemi	FQD13N06LTMTR-ND	$0.97000	MFR recomendado
STD12NF06L-1	STMicroelectronics	497-6730-5-ND	$0.94000	Similar
TSM900N06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	TSM900N06CHX0G-ND	$0.99000	Similar

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