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FDB9406-F085 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | FDB9406-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB9406-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDB9406-F085 |
Descripción | MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 40 V 110A (Tc) 176W (Tj) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FDB9406-F085 Modelos |
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 138 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7710 pF @ 25 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | Disipación de potencia (Máx.) 176W (Tj) |
Estado de pieza Obsoleto | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm a 80A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
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Sustitutos (12)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS1D3N04CTWG | onsemi | 9,330 | NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND | $2.07000 | MFR recomendado |
| NP110N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | NP110N04PUG-E1-AY-ND | $2.23625 | Similar |
| NP110N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-NP110N04PUK-E1-AYTR-ND | $5.56000 | Similar |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | 229 | IPB015N04NGATMA1TR-ND | $4.14000 | Similar |
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB120N04S402ATMA1TR-ND | $1.21000 | Similar |
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Obsoleto
Stock en el Mercado: 33,600 Ver ahora
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