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FCP190N65S3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | FCP190N65S3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FCP190N65S3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FCP190N65S3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.7mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 144W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 8.5A, 10V |
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Sustitutos (6)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 0 | 488-FCP190N65S3R0-ND | $2.31000 | Equivalente paramétrico |
| IXFP22N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFP22N65X2-ND | $5.62000 | Similar |
| TK16E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60WS1VX-ND | $3.68000 | Directo |
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-SPP24N60C3XKSA1-ND | $0.00000 | Similar |
| STP26N60M2 | STMicroelectronics | 0 | STP26N60M2-ND | $1.20274 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.53000 | $2.53 |
| 50 | $1.66260 | $83.13 |
| 100 | $1.65990 | $165.99 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
