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FCH067N65S3-F155 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | FCH067N65S3-F155OS-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FCH067N65S3-F155 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 44A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FCH067N65S3-F155 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 4.4mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3090 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 312W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 67mOhm a 22A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $14.67000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $11.46000 | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $10.11000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.76000 | $5.76 |
| 30 | $4.41167 | $132.35 |
| 120 | $3.91017 | $469.22 |
| 510 | $3.60773 | $1,839.94 |



