PMV45EN2VL Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

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PMV45EN2VL
Número de pieza de DigiKey	PMV45EN2VL-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PMV45EN2VL
Descripción	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 5.1A (Ta) 510mW (Ta) TO-236AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PMV45EN2VL Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.3 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 209 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 510mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.1A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base PMV45EN2
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 4.1A, 10V