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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
1N5809URS | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 150-1N5809URS-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | 1N5809URS |
Descripción | DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF |
Plazo estándar del fabricante | 35 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 100 V 3A Montaje en superficie B, SQ-MELF |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante | Tiempo de recuperación inversa (trr) 30 ns |
Embalaje Granel | Corriente - Fuga inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia según Vr, F 60pF a 10V, 1MHz |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 100 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 3A | Paquete del dispositivo del proveedor B, SQ-MELF |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 875 mV @ 4 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -65°C ~ 175°C |
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Sustitutos (17)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5809URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5809URS/TR-ND | $32.03000 | Equivalente paramétrico |
| 1N5809US | Microchip Technology | 0 | 1N5809US-ND | $8.04000 | Equivalente paramétrico |
| 1N5809US/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5809US/TR-ND | $7.55000 | Equivalente paramétrico |
| JAN1N5809URS | Microchip Technology | 0 | 1086-19441-ND | $15.15000 | Equivalente paramétrico |
| JAN1N5809URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-JAN1N5809URS/TR-ND | $18.09500 | Equivalente paramétrico |
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Granel
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 100 | $29.61010 | $2,961.01 |
