Equivalente paramétrico
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US1MHE3-TP | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 353-US1MHE3-TPTR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | US1MHE3-TP |
Descripción | DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1000 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 75 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 5 µA @ 1000 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia según Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1000 V | Tipo de montaje |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.7 V @ 1 A | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| US1MQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-US1MQ-13TR-ND | $0.07661 | Equivalente paramétrico |
| US1M-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 375 | US1M-E3/5ATGITR-ND | $0.43000 | Equivalente paramétrico |
| US1M-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1M-E3/61TGITR-ND | $0.25000 | Equivalente paramétrico |
| US1M-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1M-M3/61TGITR-ND | $0.31000 | Equivalente paramétrico |
| US1MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1MHE3_A/HGITR-ND | $0.40000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 5,000 | $0.06262 | $313.10 |
| 125,000 | $0.06250 | $7,812.50 |






