Directo



IXTY2N100P | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 238-IXTY2N100P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTY2N100P |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 100µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 655 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 86W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.5Ohm a 500mA, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| STD3NK100Z | STMicroelectronics | 0 | 497-7967-2-ND | $2.37000 | Directo |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.41000 | $4.41 |
| 70 | $2.15886 | $151.12 |
| 140 | $1.96800 | $275.52 |
| 560 | $1.67243 | $936.56 |
| 1,050 | $1.56870 | $1,647.13 |
| 2,030 | $1.54488 | $3,136.11 |







