Name: IXTT10N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTT10N100D2-ND
Price: 17.97287 USD
Availability: OutOfStock

Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) TO-268AA

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IXTT10N100D2
Número de pieza de DigiKey	IXTT10N100D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTT10N100D2
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Plazo estándar del fabricante	49 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) TO-268AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm a 5A, 10V
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200 nC @ 5 V
Serie Depletion	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5320 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 695W (Tc)
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-268AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXTT10

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