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IXTP160N10T | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IXTP160N10T-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTP160N10T |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 160A (Tc) 430W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 132 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6600 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 430W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7mOhm a 25A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19501KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37286-5-ND | $1.84000 | Similar |
| CSD19531KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37480-5-ND | $2.13000 | Similar |
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFB4310ZPBF-ND | $3.55000 | Similar |
| STP100N10F7 | STMicroelectronics | 0 | 497-13550-5-ND | $2.69000 | Similar |
| STP110N10F7 | STMicroelectronics | 0 | 497-13551-5-ND | $2.45000 | Similar |
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.87000 | $4.87 |
| 50 | $2.72340 | $136.17 |
| 100 | $2.57040 | $257.04 |
| 500 | $2.35706 | $1,178.53 |
| 1,000 | $2.27050 | $2,270.50 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
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