Similar

IXTH3N120 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IXTH3N120-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTH3N120 |
Descripción | MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) TO-247 (IXTH) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 200W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.5Ohm a 500mA, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW4N150 | STMicroelectronics | 0 | 497-5092-5-ND | $7.23000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 600 | $6.32848 | $3,797.09 |


