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IXTA12N65X2 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IXTA12N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTA12N65X2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) TO-263AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 180W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 300mOhm a 6A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB65R310CFDAATMA1TR-ND | $2.87000 | Similar |
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB12N60E-GE3-ND | $0.93664 | Similar |
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011ENJTLTR-ND | $1.70966 | Similar |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLTR-ND | $1.03553 | Similar |




