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IXFX48N60Q3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IXFX48N60Q3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFX48N60Q3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 46 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 48A (Tc) 1000W (Tc) PLUS247™-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 6.5V a 4mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7020 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 1000W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 140mOhm a 24A, 10V |
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Sustitutos (11)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK25N60X5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25N60X5S1F-ND | $5.33000 | Similar |
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R099C7XKSA1-ND | $5.08000 | Similar |
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R099CPAFKSA1-ND | $8.07000 | Similar |
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R120P7XKSA1-ND | $2.78000 | Similar |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 0 | FCH110N65F-F155-ND | $6.07000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $28.51000 | $28.51 |
| 30 | $18.48400 | $554.52 |
| 120 | $17.71800 | $2,126.16 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
