IXFH22N65X2
Número de pieza de DigiKey	238-IXFH22N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH22N65X2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.5V a 1.5mA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Ultra X2	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2310 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 390W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 22A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXFH22
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 11A, 10V

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Sustitutos (23)

N.° de pieza	Fabricante	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
TK17N65W,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	TK17N65WS1F-ND	$5.48000	Similar
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STW28N60DM2	STMicroelectronics	497-16350-5-ND	$4.81000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$6.90000	$6.90
30	$3.84533	$115.36
120	$3.60058	$432.07
510	$3.27549	$1,670.50

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.

IXFH22N65X2

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