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SPD18P06PGBTMA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SPD18P06PGBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPD18P06PGBTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPD18P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SPD18P06PGBTMA1 |
Descripción | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) PG-TO252-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SPD18P06PGBTMA1 Modelos |
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF @ 25 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Disipación de potencia (Máx.) 80W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 130mOhm a 13.2A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA |
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Sustitutos (7)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| NP20P06SLG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-NP20P06SLG-E1-AYTR-ND | $1.50000 | Similar |
| DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMP6180SK3-13DITR-ND | $0.58000 | Similar |
| ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 0 | ZXMP6A17KTCDITR-ND | $0.85000 | Similar |
| TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND | $1.80000 | Similar |
| FQD17P06TM | onsemi | 0 | FQD17P06TMTR-ND | $1.47000 | Similar |
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