Equivalente paramétrico
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IPP65R150CFDXKSA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 448-IPP65R150CFDXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP65R150CFDXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 900µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2340 pF @ 100 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 195.3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 150mOhm a 9.3A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND | $4.44000 | Equivalente paramétrico |
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK17E65WS1X-ND | $4.78000 | Similar |
| FCP110N65F | onsemi | 0 | FCP110N65FOS-ND | $5.13000 | Similar |
| FCP150N65F | onsemi | 0 | FCP150N65FOS-ND | $5.99000 | Similar |
| FCP165N60E | onsemi | 0 | FCP165N60E-ND | $2.37000 | Similar |






