Equivalente paramétrico
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IPP027N08N5AKSA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IPP027N08N5AKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP027N08N5AKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP027N08N5AKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 154µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 123 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8970 pF @ 40 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 214W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.7mOhm a 100A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP027N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP027N08N5XKSA1-ND | $1.69002 | Equivalente paramétrico |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK100E08N1S1X-ND | $5.10000 | Similar |
| STP315N10F7 | STMicroelectronics | 0 | 497-14717-5-ND | $5.46000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $1.69002 | $845.01 |



