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IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPAN65R650CEXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 10.1A (Tc) 28W (Tc) PG-TO220-FP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPAN65R650CEXKSA1 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 210µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 28W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 650mOhm a 2.1A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAN70R600P7SXKSA1-ND | $1.49000 | MFR recomendado |
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En stock: 0
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