
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) PG-TO247-4-U02 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.2mOhm a 90.3A, 20V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 32.4mA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 500 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6137 pF @ 500 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 517W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 750 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-U02 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $33.35000 | $33.35 |
| 30 | $22.05500 | $661.65 |
| 120 | $21.72383 | $2,606.86 |











