
IMBG65R107M1HXTMA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMBG65R107M1HXTMA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) PG-TO263-7-12 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMBG65R107M1HXTMA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 2.6mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 496 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 110W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-12 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 141mOhm a 8.9A, 18V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.35000 | $6.35 |
| 10 | $5.44200 | $54.42 |
| 100 | $4.53530 | $453.53 |
| 500 | $4.00172 | $2,000.86 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.60155 | $3,601.55 |
| 2,000 | $3.37479 | $6,749.58 |

