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BSZ0901NSIATMA1 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | BSZ0901NSIATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | BSZ0901NSIATMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8-FL |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | BSZ0901NSIATMA1 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo) |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.1mOhm a 20A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-BSZ0501NSIATMA1TR-ND | $1.60000 | MFR recomendado |
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | 0 | 296-39994-2-ND | $0.75000 | Similar |
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | 0 | 296-37961-2-ND | $0.94000 | Similar |
En stock: 0
5.000 productos estimados en stock al 18/10/2027
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