Equivalente paramétrico

DMWSH120H18HM4Q | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMWSH120H18HM4Q |
Descripción | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 108A (Tc) 313W (Tc) TO-247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 158 nC @ 18 V |
Fabricante | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4206 pF @ 800 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Grado Uso automotriz |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Calificación AEC-Q101 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4 |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 75A, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 37mA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H18HM4 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H18HM4-ND | $28.27000 | Equivalente paramétrico |
Este stock se encuentra en las instalaciones del proveedor y puede estar disponible en DigiKey a partir de la recepción del pedido.
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $34.86000 | $34.86 |
| 30 | $23.68733 | $710.62 |


