Name: DMTH10H009LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND
Price: 0.60907 USD
Availability: OutOfStock

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DMTH10H009LFGQ-7
Número de pieza de DigiKey	31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H009LFGQ-7
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2361 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Ta), 46A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor POWERDI3333-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.5mOhm a 20A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA