Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Similar

DMN3018SFGQ-13 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | DMN3018SFGQ-13-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMN3018SFGQ-13 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) POWERDI3333-8 |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.2 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 697 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Grado Uso automotriz |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Calificación AEC-Q101 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete del dispositivo del proveedor POWERDI3333-8 |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 21mOhm a 10A, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 250µA | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3018SFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3018SFG-13DITR-ND | $0.51000 | Equivalente paramétrico |
| DMN3018SFG-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3018SFG-7TR-ND | $0.56000 | Equivalente paramétrico |
| DMN3018SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3018SFGQ-7-ND | $0.17238 | Equivalente paramétrico |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | 0 | RQ3E080GNTBTR-ND | $0.65000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.17637 | $529.11 |
| 6,000 | $0.16168 | $970.08 |
| 9,000 | $0.15420 | $1,387.80 |
| 15,000 | $0.14579 | $2,186.85 |
| 21,000 | $0.14081 | $2,957.01 |
| 30,000 | $0.13963 | $4,188.90 |



